Výrobca Číslo produktu:
TSM680P06DPQ56 RLG
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM680P06DPQ56 RLG-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 60V 12A 8DFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 12A (Tc) 3.5W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventár:
13684 Ks Nové Originálne Na Sklade
12892326
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM680P06DPQ56 RLG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
68mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16.4nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
870pF @ 30V
Výkon - Max
3.5W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Balík zariadení dodávateľa
8-PDFN (5x6)
Základné číslo produktu
TSM680
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
TSM680P06DPQ56 RLGDKR
TSM680P06DPQ56 RLGCT
TSM680P06DPQ56RLGCT
TSM680P06DPQ56 RLGTR-DG
TSM680P06DPQ56RLGTR
TSM680P06DPQ56 RLGDKR-DG
TSM680P06DPQ56 RLGTR
TSM680P06DPQ56RLGDKR
TSM680P06DPQ56 RLGCT-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIL2623-TP
MOSFET 2P-CH 30V 3A SOT23-6L
DMP2100UFU-13
MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN
DMN32D4SDW-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
